文献
J-GLOBAL ID:201702285078774722   整理番号:17A1665450

Cu-Zn-Sn薄膜とそれらの光起電力特性を,電着後の合金層のアニールによって調製した。【JST・京大機械翻訳】

Preparation and photovoltaic characterization of Cu2ZnSnS4 thin films fabricated by electrodeposition of alloy precursor followed by annealling
著者 (8件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 917-924  発行年: 2017年 
JST資料番号: C2798A  ISSN: 1672-7207  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電着Cu-Zn-Sn(Cu-Zn-Sn,CZT)合金前駆体層を用いて、薄膜太陽電池用吸収層材料の銅亜鉛スズ(Cu2ZnSnS4、CZTS)を調製した。走査型電子顕微鏡(SEM),X線エネルギー分散分光法(EDS),X線回折(XRD)およびRaman分光法を用いて,異なるプレホーム層組成の下で調製したCZTS薄膜の表面形態,組成および相構造を特性化し,解析した。研究結果は以下を示す。銅のモル分率の増加に伴い,CZTS薄膜の(112)面の回折ピークの半値全幅は,最初に減少し,次に増加したが,それは,最初に減少した。>1。2の増加に伴い,増加した傾向を示していることが示された。物質の量がn(Cu)/n(Zn+Sn)=0.83とn(Zn)/n(Sn)=1.31の条件下で、半ピーク幅が最も小さく、結晶性が最も良いCZTS薄膜が得られた。銅欠乏亜鉛の条件下で調製された薄膜中には、SnS2の二次相が存在し、銅リッチの亜鉛リッチな条件下で調製した薄膜中に少量のZnS二次相が存在した。銅リッチ亜鉛リッチ条件下で調製された薄膜中にCu-S二次相が存在した。二次薄膜の光電気応答に対して重要な影響があり、銅欠乏亜鉛のサンプルの光電気応答性は比較的に良く、光電流の減衰現象がなく、光電流密度は最大0.6mA/cm2に達した。最適条件下で調製されたCZTS太陽電池は,100mW/cm2の光照射下で,光電気変換効率が3.27%であることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件):
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
分析機器  ,  原子・分子のクラスタ  ,  半導体薄膜 

前のページに戻る