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J-GLOBAL ID:201702285086524496   整理番号:17A0470301

電子ドナー/アクセプタエネルギー収穫装置におけるバンドトンネリングへの熱支援バンド【Powered by NICT】

Thermal-assisted band to band tunneling at the electron donor/acceptor energy harvesting assembly
著者 (1件):
資料名:
巻: 625  ページ: 81-86  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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光起電力デバイスにおける電子ドナー/アクセプタエネルギー収穫装置における界面電子特性を理解することは,界面での電荷キャリア再結合機構を明らかにへの洞察を与えることができるという意味で重要である。AZO(電子受容体)は,高度に伝導性のソースおよびドレイン電極として作用するアルミニウムをドープした亜鉛オキシド(アゾ)/ポリ-ヘキシルチオフェン(P3HT)/アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)構造での温度依存接触抵抗測定から,電子ドナー/アクセプタ界面での電荷移動機構を明らかにした。機構では,電荷移動過程はバンドAZOの伝導バンド端とP3HTのHOMO間のエネルギー整列によって支持AZOに近いP3HTの最高被占分子軌道(HOMO)準位近傍の占有された局在電子状態を通したP3HTにAZOからの正孔キャリアのバンドトンネリング(BTBT)によって開始される。BTBTに続いて,電荷移動過程は,AZOに近いP3HT(電子供与体)における熱活性化されたホッピングによって完成される。AZOに近いP3HTの熱活性化輸送は,接触抵抗の大きさを支配し,光起電素子のドナー/アクセプタ界面でのキャリア再結合機構の起源への洞察を提供することが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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