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J-GLOBAL ID:201702285110574644   整理番号:17A0852327

回路と磁場の結合によるマグノンデバイスにおける2ポートパラメータの計算【Powered by NICT】

Computation of Two-Port Parameters in Magnonic Devices Through Circuit-Field Coupling
著者 (3件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: ROMBUNNO.7100204.1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0339B  ISSN: 0018-9464  CODEN: IEMGAQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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二コプレーナ導波路を含む典型的なマグノンデバイスの配置から二ポートパラメータの計算のためのモデルを提示した。パーマロイ薄膜は,適切な直流電場を用いた飽和した。第一導波路をRF場の重合せによるスピン波の励起の機能を果たしている。第二導波路は共鳴周波数でDamon-Eshbachモードで励起された波動ベクトルを検出する。モデルはLandauの線形化近似-Maxwell方程式と結合したLifshitz Gilbert方程式に対する一般化した平均残差法を用いて解いた。二ポート回路網からの複雑なインピーダンス行列は均一に飽和と不均一初期基底状態のために抽出した。所見は,高度に非一様基底状態の共振周波数における低吸収ポテンシャルとシフトを報告した。均一に飽和した基底状態のモデルの検証は,実験的及び半解析的所見に対して行い,良好な一致を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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電動機  ,  数値計算 
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