文献

J-GLOBAL ID：201702285142309111   整理番号：17A1767475

ポリエチレンナフタレート基板上のRFスパッタしたTiO₂ドープZnO膜

Rf-Sputtered TiO₂-Doped ZnO Films onto Polyethylene Naphthalate Substrates

著者 (3件)： KIM Hwa-Min (Catholic Univ. Daegu, Gyeongbuk, KOR) ,  LEE Chang-Hyun (Catholic Univ. Daegu, Gyeongbuk, KOR) ,  KIM Bonghwan (Catholic Univ. Daegu, Gyeongbuk, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 11  ページ： 8571-8576  発行年： 2017年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiO₂を2wt%ドープしたZnO(TZO)膜をポリエチレンナフタレート(PEN)基板上にスパッタリングした。RFスパッタリングパワーはTZO膜の密度と結晶度に影響を与え,従って膜の電気特性と光学的性質が変化した。プラスチック基板からの水その他の吸着粒子(有機溶媒など)の気化は,その上のTCO膜の接着を劣化させるとの仮定に基づいて,高分子基板上にSiO_xN_y膜くを被覆して,スパッタリング時のTZO膜上の気体拡散を防止した。これにより,TZO膜の抵抗率は,1.2×10^-3Ω・cmから8.3×10^-4Ω・cmへ大幅に低下した。これはガラス基板を用いて得られる値7.5×10^-4Ω・cm)とほぼ同じである。

シソーラス用語： *ポリエチレンナフタレート ,  *RFスパッタリング ,  *酸化亜鉛 ,  半導体材料 ,  ドーピング ,  酸化チタン ,  電気抵抗率 ,  薄膜成長 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 二酸化チタン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリエチレンナフタレート ,  RFスパッタ ,  TiO2 ,  ドープ ,  ZnO