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J-GLOBAL ID：201702285226967046   整理番号：17A1036107

ab initioシミュレーションに基づくAlドープH fOxの高抵抗状態保持劣化の改善【Powered by NICT】

Improving the High Resistance State Retention Degradation of Al-Doped HfOx Based on Ab Initio Simulations

著者 (4件)： Song Yali ,  Magyari-Kope Blanka ,  Lin Yinyin ,  Nishi Yoshio
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMW  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfOXベース抵抗スイッチングメモリの保持に及ぼすAlドーピング効果を,密度汎関数理論を用いて詳細に調べた。Alドーピングは形成電圧を低減し,均一性を改善し,ON状態の保持を高めることなど多くの利点を有するが,オフ状態保持を低下させることが分かった。本研究はAlの存在下でフィラメントからの酸素空孔のマイグレーション障壁は著しく変化するAlから遠く離れたものと比較してことを見出した。フィラメントである電子欠乏時,OFF状態に対応する,フィラメント中への酸素拡散はAl近傍の熱力学的に不安定になり,オフ状態保持に強い影響を示した。一方,Alから遠く離れた酸素空格子点はアンドープHfOxと同様の特性を示した,電場下での電子空乏プロセスによる障壁を徐々に減少させることであった。,ONとOFF状態保持改善の両方に対処するために潜在的な解決策は,不活性電極デバイス領域近傍でのみAl部分ドーピングを用いて検討することである。これは低い形成電圧でフィラメント成長過程を容易にし,オン状態保持に役立つであろう。同時に,活性スイッチング領域に及ぼすAlの影響を,オフ状態保持劣化問題を消去する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フィラメント ,  *アルミニウム ,  電場 ,  電圧 ,  *シミュレーション ,  *ドーピング ,  密度汎関数法 ,  スイッチング ,  熱力学
準シソーラス用語： 酸素拡散 ,  酸素空格子点 ,  オフ状態 ,  オン状態 ,  ドーピング効果 ,  抵抗スイッチングメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： シミュレーション ,  Al ,  ドープ