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J-GLOBAL ID：201702285245185604   整理番号：17A0263018

N型半導体ダイヤモンドの研究の現状と展望【JST・京大機械翻訳】

Research Status and Prospect of N Type Semiconductor Diamond

著者 (7件)： Li Shangsheng (School of Materials Science and Engineering,Henan Polytechnic University) ,  Xu Antao (School of Mathematics, Jiaozuo Teachers College) ,  Wang Shengyan (School of Materials Science and Engineering,Henan Polytechnic University) ,  Liu Shuqiang (The Laser of Jiaozuo Institute) ,  Yu Kunpeng (School of Materials Science and Engineering,Henan Polytechnic University) ,  Wang Jiankang (School of Materials Science and Engineering,Henan Polytechnic University) ,  Han Fei (School of Materials Science and Engineering,Henan Polytechnic University)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 45  号： 11  ページ： 2728-2734,2740  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 半導体材料のダイヤモンドは広いバンドギャップ幅と高い熱伝導率、絶縁破壊強度などの優れた性質を有するため、その応用前景は広い。P型ダイヤモンドの成長はN型ダイヤモンドのそれよりも良好である。実用的なN型ダイヤモンド材料が不足しているため、ダイヤモンド半導体デバイスの応用は実現しにくい。従ってN型半導体ダイヤモンドは研究者に注目されている焦点になっている。本論文では,ドーピング元素と調製法の両面から,国内外のN型ダイヤモンドの研究状況を詳細に紹介した。ホウ素とリンまたは硫黄元素の共ドーピングによるN型ダイヤモンドの研究は大きな進展が得られた。化学蒸着法とイオン注入法によるN型半導体ダイヤモンドの研究は多くの進展がある。高圧高温での温度勾配法はダイヤモンドの性能を制御するのに便利であるため、この方法を用いてN型半導体ダイヤモンド単結晶を合成する価値がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ホウ素 ,  *ダイヤモンド ,  絶縁耐力 ,  単結晶 ,  リン ,  半導体材料 ,  イオン注入 ,  硫黄 ,  バンドギャップ ,  *N型半導体 ,  熱伝導率 ,  温度勾配
準シソーラス用語： 高温高圧 ,  共ドーピング ,  ダイヤモンド半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： diamond ,  N type semiconductor ,  doping

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： N型半導体 ,  ダイヤモンド ,  研究 ,  現状 ,  展望