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J-GLOBAL ID：201702285261641214   整理番号：17A0539752

可撓性パリレン-C基板上に作製されたPt/TiO_x/Ptデバイスの抵抗スイッチング

Resistive switching of Pt/TiO_x/Pt devices fabricated on flexible Parylene-C substrates

著者 (4件)： KHIAT Ali (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  CORTESE Simone (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  SERB Alexander (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  PRODROMAKIS Themistoklis (Univ. Southampton, Southampton, GBR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 2  ページ： 025303,1-10  発行年： 2017年01月13日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブルなエレクトロニクスの開発と将来のメモリデバイスのためのメモリの登場は,必然的にハイブリッドや生体適合性のあるアプリケーションの可能性を生かすための集積につながります。本研究では,パリレン-CをTiO_xおよびSi0₂膜で保護された基板として使用して,可撓性のあるPt/TiO_x/Ptメムリスターの製造を成功裏に実証した。Pt/TiO_x/Pt/Pt抵抗メモリスタックは,可撓性基板上に良好に転写された。いくつかの製造上の課題が特定され,対処された。ここに示した詳細な製造方法は,デバイスの忠実な再現を可能にした。このデバイスは,掃引モードおよびパルスモードでの電気的特性によって検証され,印加されたパルスの振幅および持続時間の変化によって生成される複数の記憶能力により,急激かつ緩やかな切り替えをサポートする装置の能力を実証した。

シソーラス用語： *柔軟性 ,  *ポリキシリレン ,  塩素化重合体 ,  白金 ,  *酸化チタン ,  *スイッチング ,  *回路部品
準シソーラス用語： 可撓性 ,  パリレンC ,  抵抗スイッチング ,  メモリスタ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 可撓性 ,  パリレン-C ,  作製 ,  Pt ,  TiOx ,  抵抗スイッチング