ポリ(9,9 ジオクチルフルオレン) バセドサンドイッチ素子における制御可能なメモリスタパターン【Powered by NICT】

Wang Laiyuan; Hu Bo; Liu Bin; Ling Haifeng; Yi Mingdong; Xie Linghai; Wang Zhiyong; Zhu Ying; Huang Wei; Huang Wei

文献

J-GLOBAL ID：201702285278864416 整理番号：17A1465733

ポリ(9,9 ジオクチルフルオレン) バセドサンドイッチ素子における制御可能なメモリスタパターン【Powered by NICT】

Controllable memristive patterns in poly(9,9-dioctylfluorene)-based sandwich device

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資料名：
巻： 49 ページ： 313-320 発行年： 2017年
JST資料番号： W1352A ISSN： 1566-1199 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

現在,メモリスタapplications,0型と8タイプヒステリシスループのI-Vメムリスティブパターンの二一般的な種類があり,それぞれの特性を,種々の状況におけるそれらの特異的適用と,データ貯蔵及びニューロ計算機などをもたらした。これらの注目すべき性能の豊富な成果にもかかわらず,特に単一素子において複数の機能を追求するためのそれらの間の関係と規制に関する関与している少ない工事と,成果および制御可能な変態の両方を持つ理想的なプラットフォームは,ほとんど報告されていない。ここでは,新しい有機マテリアールポリ(9,9 ジオクチルフルオレン)(PFO)はサンドイッチプロトタイプを構築するために利用されている。電気輸送特性は,特にプログラミングプロトコルによって系統的に調査した。型と8タイプメムリスティブパターンは,低および高電圧掃引中に得られた,それぞれに成功した。電流曲線,キャリア輸送挙動だけでなくデバイスエネルギー準位の規制の区分フィッティング結果は,会合異なるメムリスティブパターン間の電気活性依存性変態を解析するために実証した。より重要なことに,8タイプヒステリシスループの出現は,整流特性により調節されると,整流はデバイスのエネルギー準位の再構成によるが大きく増強された。汎用メムリスティブ素子,型ヒステリシスに基づいて,データ貯蔵または人工シナプス要素として役立ち,整流修飾メムリスティブ挙動を高密度集積のための意図しない漏洩電流経路を妨げることができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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高分子固体の物理的性質 , トランジスタ

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