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J-GLOBAL ID：201702285336526135   整理番号：17A1640374

Cu箔上に成長させたCVDグラフェンのフレキシブル歪センサのための移動と標的基質のための材料を支えるとしてポリエチレンフィルムの可能性【Powered by NICT】

Feasibility of polyethylene film as both supporting material for transfer and target substrate for flexible strain sensor of CVD graphene grown on Cu foil

著者 (4件)： Cai Shuxian (National Research Center of Engineering Technology for Utilization of Botanical Functional Ingredients, Hunan Agricultural University, Changsha, 410128, China. [e-mail]) ,  Liu Xingfang ,  Huang Jianan ,  Liu Zhonghua
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 76  ページ： 48333-48340  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu箔上に化学蒸着したグラフェンは様々な応用で使用する前に標的誘電体基板に移すべきである。グラフェンは異なる基板に移動した後,この経路は,しばしば材料の移動過程と除去前にグラフェン上の支持材料の調製を含む。ここでは,1つのルートにおけるグラフェン移動とそれに続くグラフェンベースセンサ作製を組み合わせた単純なプロセスを実証した。グラフェン,続いて化学エッチングCu箔上に薄い柔軟なポリエチレン(PE)フィルムを適用することにより,このプロセスはPE膜上のグラフェンの高品質移動を可能にした。転写グラフェン/PE膜から調製したフレキシブル歪センサは良好な検出感度を示した。,このプロセスは大量生産のための移送およびデバイス製造のコストを大きく下げることができた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電体 ,  基質 ,  *グラフェン ,  ウェットエッチング ,  *銅箔 ,  大量生産 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： 検出能 ,  高品質 ,  *歪センサ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： Cu箔 ,  成長 ,  CVD ,  グラフェン ,  歪センサ ,  標的 ,  基質 ,  ポリエチレンフィルム ,  可能性