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J-GLOBAL ID：201702285364277405   整理番号：17A1832910

半導体ナノ粒子上の表面増強Raman散乱の理論SERSセンサの最適化に向けて【Powered by NICT】

The theory of surface-enhanced Raman scattering on semiconductor nanoparticles; toward the optimization of SERS sensors

著者 (1件)： Lombardi John R. (Department of Chemistry, The City College of New York, 160 Convent Avenue, New York, NY 10031, USA. [e-mail])
資料名： Faraday Discussions  (Faraday Discussions)
巻： 205  ページ： 105-120  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0377A  ISSN： 1359-6640  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノ粒子上に吸着した分子のシステムから得られた表面増強Ramanスペクトルに対する最低次非ゼロ寄与に対する表式を提示した。零次Born-Oppenheimer状態のHerzberg-Teller振電結合を,Albrecht A,B,およびSERS基板へのC-項の拡張と見なすことができる発現をもたらした。SERS増強は組合せシステムでのいくつかのタイプの共鳴,すなわち,表面励起子,電荷移動,および分子共鳴の組合せに起因することを示した。これらの共鳴は,分子が,理論の種々の試験を可能にし,Raman線の相対強度を予測する選択則を提供するにより結合されている。さらに,SERS増強への種々の寄与の相互作用を考慮することにより,半導体ナノ構造を調整することができ,それによって様々な寄与する共鳴の位置を調整することにより増強因子を最適化する方法を開発することができた。これは分子センサを構築し,最適化できる方法を提示した。単層MoS_2とGaNナノロッドのような基板上にいくつかの実験例を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互作用 ,  電荷移動 ,  *最適化 ,  Ramanスペクトル ,  振電相互作用 ,  *センサ ,  単一層 ,  窒化ガリウム ,  *表面増強Raman散乱 ,  選択則 ,  共鳴 ,  ナノロッド
準シソーラス用語： 半導体ナノ構造 ,  SERS基板 ,  *半導体ナノ粒子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル一般  (BM08061U) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体ナノ粒子 ,  表面増強Raman散乱 ,  理論 ,  最適化