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J-GLOBAL ID：201702285388616477   整理番号：17A1629027

AZO/VO-2/アゾサンドイッチ構造に基づいた電圧誘起スイッチング動力学【Powered by NICT】

Voltage-induced switching dynamics based on an AZO/VO₂/AZO sandwiched structure

著者 (12件)： Xiao Han (College of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) ,  Xiao Han (Shanghai University of Medicine & Health Sciences, Shanghai 201318, China) ,  Li Yi (College of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) ,  Li Yi (Shanghai Key Laboratory of Modern Optical System, Shanghai 200093, China) ,  Fang Baoying (College of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) ,  Wang Xiaohua (College of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) ,  Wang Xiaohua (Department of Computer & Information Engineering, Shanghai University of Electric Power, Shanghai 200090, China) ,  Liu Zhimin (College of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) ,  Zhang Jiao (College of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) ,  Li Zhengpeng (College of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) ,  Huang Yaqin (College of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) ,  Pei Jiangheng (College of Optical-Electrical and Computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 86  ページ： 212-217  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二酸化バナジウム(VO_2)薄膜を,DCマグネトロンスパッタリングとポストアニーリングプロセスによるAlをドープしたZnO(AZO)導電性ガラス基板上に作製した。AZO/VO_2/アゾサンドイッチ構造は,フォトリソグラフィーと化学エッチングプロセスを用いてVO_2/AZO複合膜上に作製した。VO_2/AZO複合膜の組成,微細構造および光学的性質を試験した。結果はVO_2/AZO複合膜は多結晶とAZO層はVO_2の優先成長方位を変化させないことを示した。電圧はAZO/VO_2/アゾサンドイッチ構造の透明導電層の両方に適用したとき,電流の急激な変化は,異なる温度で観察した。AZO/VO_2/アゾサンドイッチ構造のI-V特性曲線の温度依存性を解析した。相転移電圧値は20°Cで7.5Vであり,温度上昇とともに減少する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スイッチング ,  微細構造 ,  複合膜 ,  温度依存性 ,  相転移 ,  *電圧 ,  薄膜 ,  特性曲線 ,  *電圧発生 ,  フォトリソグラフィー ,  ウェットエッチング ,  多結晶 ,  光学的性質
準シソーラス用語： DCマグネトロンスパッタリング ,  二酸化バナジウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AZO/VOは-2/アゾ ,  Dynamics ,  IR透過率 ,  相転移電圧 ,  電圧誘導スイッチング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： Azo ,  電圧誘起 ,  スイッチング ,  動力学