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J-GLOBAL ID：201702285440224951   整理番号：17A0402864

CuInSe_2/C_60とCuInSe_2/ZnPcハイブリッド界面での過渡的および変調された電荷分離【Powered by NICT】

Transient and modulated charge separation at CuInSe₂/C₆₀ and CuInSe₂/ZnPc hybrid interfaces

著者 (5件)： von Morze Natascha (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Lise-Meitner Campus, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Dittrich Thomas (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Lise-Meitner Campus, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Calvet Wolfram (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Lise-Meitner Campus, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Lauermann Iver (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Lise-Meitner Campus, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Rusu Marin (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Lise-Meitner Campus, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 366-374  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スペクトル依存電荷移動と励起子解離が無機多結晶CuInSe_2(未処理及びNa条件付け)薄膜と有機C_60だけでなく,過渡的および変調表面光起電力測定による亜鉛フタロシアニン(ZnPc)層の間のハイブリッド界面で調べた。裸CuInSe_2表面の化学量論と電子特性はn型特徴を有するCu相を明らかにした光電子分光法によって特性化した。C_60層の堆積後,CuInSe_2表面での強いバンド曲がりが観察された。励起子とそれに続く電荷分離の解離の証拠はCuInSe_2/ZnPc界面で見出された。CuInSe_2表面でCu層はCuInSe_2/有機ハイブリッド界面での過渡的および変調された電荷分離に重要であることが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光電子分光法 ,  多結晶 ,  スペクトル ,  キャラクタリゼーション ,  ナトリウム ,  化学量論 ,  電荷移動 ,  薄膜 ,  *界面 ,  *銅 ,  励起子 ,  有機炭素 ,  *電荷分離
準シソーラス用語： バンド曲がり ,  表面光起電力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： CuInSe_2 ,  C_60 ,  ZnPc ,  表面光起電力 ,  XPS ,  UPS

分類 (3件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 界面 ,  変調 ,  電荷分離