SOHIER Thibault について
Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE について
CALANDRA Matteo について
Univ. P. et M. Curie, Paris, FRA について
MAURI Francesco について
Universita di Roma La Sapienza, Roma, ITA について
MAURI Francesco について
Fondazione Istituto Italiano di Tecnologia, ITA について
Physical Review. B について
素子構造 について
低次元系 について
ゲート【半導体】 について
密度汎関数法 について
摂動論 について
グラフェン について
フォノン について
半導体素子 について
Coulomb相互作用 について
特性 について
電子-フォノン相互作用 について
音響モード について
ドーピング について
曲げ振動 について
ヘテロ構造 について
二次元系 について
電界効果デバイス について
振動特性 について
屈曲振動 について
界面の電気的性質一般 について
ポーラロン,電子-フォノン相互作用 について
炭素とその化合物 について
ゲート について
2次元 について
ヘテロ構造 について
密度関数 について
摂動論 について
理論 について
発展 について
グラフェン について
屈曲 について
フォノン について