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J-GLOBAL ID：201702285582849910   整理番号：17A1386359

In_2O_3ベース透明導電性酸化物における多成分元素により誘起された自由キャリアの有効質量に及ぼす変調効果【Powered by NICT】

Modulation effect on the effective mass of free carriers induced by multicomponent elements in In₂O₃-based transparent conducting oxides

著者 (4件)： Lu Ying-Bo (School of Space Science and Physics, Shandong University, Weihai 264209, China) ,  Yang Haozhi (Supercomputing Center, Shandong University, Weihai 264209, China) ,  Xin Y.Q. (School of Space Science and Physics, Shandong University, Weihai 264209, China) ,  Cong Wei-Yan (School of Space Science and Physics, Shandong University, Weihai 264209, China)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 137  ページ： 332-339  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_2O_3ベース多成分透明導電性酸化物(TCO)に関する広範な研究が動機となって,著者らは,これらの系における,幾何学的構造と構成元素の調整とともにどのように発展するかキャリア輸送特性を知りたい。経験的最小有効質量物理に導かれて,著者らはIn_2O_3ベースTCOの有効質量(m~*)を調整する九種類の不純物M(M=Sn,Zn,Cd,Hg,Mn,Ni,Co,GaおよびGe)を選択した。系統的理論的研究を用いて,不純物M孤立またはcorporatelyドープIn_2O_3材料において,ドーパントMの置換位置は,電荷状態により決定されることを見出した。In_2O_3(IMTOを形成する)への共ドーピングSnと他の八種の不純物がIn_2O_3ベースTCO材料中のインジウム含有量を低減する効果的な戦略である。認めn型キャリア寄与,すなわち,V_O欠損に対して,電子構造の空間的局在化と軌道局在化効果を誘発し,そのためにm~*,大きな格子歪と複雑な軌道波動関数のハイブリダイゼーションに起因するものを拡大した。IMTO:V_O(M=Zn,GaおよびHg)システムのための,両局在効果は弱められ,m~*の減少に導いた。でHg Sn O:V_Oシステムのためのハーフ値によって減少させる。In_2O_3ベース材料の系統的な研究は,高性能TCOの新しい範囲の設計に役立つ可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *有効質量 ,  ドーピング ,  格子歪 ,  ドーパント ,  *インジウム ,  不純物 ,  電子構造 ,  ゲルマニウム ,  水銀 ,  スズ
準シソーラス用語： 局在化 ,  共ドーピング ,  キャリア輸送 ,  *自由キャリア ,  *透明導電性酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 透明導電性酸化物 ,  In_2O_3 ,  有効質量 ,  不純物同時ドーピング ,  局在効果

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 透明導電性酸化物 ,  元素 ,  誘起 ,  自由キャリア ,  有効質量 ,  変調