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J-GLOBAL ID：201702285602775031   整理番号：17A1499327

Cu_2ZnSn(S,Se)-4薄膜太陽電池のための様々な厚さを持つTiN裏面接触中間層の特性化【Powered by NICT】

Characterization of TiN back contact interlayers with varied thickness for Cu₂ZnSn(S,Se)₄ thin film solar cells

著者 (8件)： Englund Sven (Division of Solid State Electronics, Department of Engineering Sciences, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Paneta Valentina (Applied Nuclear Physics, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Primetzhofer Daniel (Applied Nuclear Physics, Department of Physics and Astronomy, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Ren Yi (Division of Solid State Electronics, Department of Engineering Sciences, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Donzel-Gargand Olivier (Division of Solid State Electronics, Department of Engineering Sciences, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Larsen Jes K. (Division of Solid State Electronics, Department of Engineering Sciences, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Scragg Jonathan (Division of Solid State Electronics, Department of Engineering Sciences, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Platzer Bjorkman Charlotte (Division of Solid State Electronics, Department of Engineering Sciences, Uppsala University, Uppsala, Sweden)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 639  ページ： 91-97  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiN薄膜は以前にアニーリング段階中のMoの過剰な反応を抑制するためにCZTS(e)太陽電池のMo背面接触上の中間障壁層として使用されてきた。本研究では,種々の厚さ(2050と200nm)のTiN膜がMo/SLG基板上に反応性DCマグネトロンスパッタリングを用いて調製し,SまたはSe雰囲気のいずれかの中でアニールしたCZTS(e)層なしであった。堆積した参照とアニールした試料をX線光電子分光法,X線回折,時間の飛行弾性反跳検出分析,時間の飛行中エネルギーイオン散乱,走査電子顕微鏡および走査透過型電子顕微鏡-電子エネルギー損失分光法で特性化した。は50nm以下の堆積したままのTiN層は不連続性,Moの表面粗さに関係している可能性を示すことが分かった。アニーリングにより,TiN層はMoS(e)2の形成を劇的に減少させたが,Moの硫化またはセレン化を抑制しなかった。MoS(e)2は不連続性,TiN層以下と以上両方の近くに形成されていた。もう一つの予期しない発見は,より厚いTiN層はNaの量アニール後の表面への拡散を増加させることであり,この効果はTiN層とMoS(e)2厚さのNa親和性に関係していることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不連続性 ,  *セレン ,  焼なまし ,  X線光電子分光法 ,  モリブデン ,  走査電子顕微鏡 ,  *キャラクタリゼーション ,  ナトリウム ,  X線回折 ,  *太陽電池 ,  *薄膜
準シソーラス用語： CZTS ,  *中間層 ,  *窒化チタン ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： モリブデン ,  窒化チタン ,  中間層 ,  裏面接触 ,  硫化 ,  セレン化 ,  CZTS ,  薄膜太陽電池

分類 (3件)： 金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： Se ,  薄膜太陽電池 ,  厚さ ,  TiN ,  裏面接触 ,  中間層 ,  特性化