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J-GLOBAL ID：201702285682658384   整理番号：17A1836457

黒りん光検出器の高速光応答【Powered by NICT】

Fast photo-response of black phosphorus photodetectors

著者 (8件)： Hou Chaojian (Mechanical and Electrical Engineering, Harbin Institute of Technology, Hei Longjiang, 150001, China) ,  Yang Lijun (Mechanical and Electrical Engineering, Harbin Institute of Technology, Hei Longjiang, 150001, China) ,  Wang Haojun (Electrical & Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, MI 48824 USA) ,  Chen Liangliang (Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, MI 48824, USA) ,  Wang Yang (Mechanical and Electrical Engineering, Harbin Institute of Technology, Hei Longjiang, 150001, China) ,  Yang Zhan (Mechanical and Electrical Engineering, Soochow University, Jiang Su, 215006, China) ,  Song Bo (Department of Electrical and Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, MI 48824, USA) ,  Dong Lixin (Electrical & Computer Engineering, Michigan State University, East Lansing, MI 48824 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANO  ページ： 1060-1064  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その直接バンドギャップのために,黒リン(BP)は,光検出器のための最も競争力のある候補の一つとなっている。本報告では,BP電界効果トランジスタ(FET)のI-V特性を初めて測定した。多層黒りん光検出器の光応答時間(立ち上がり時間と立ち下がり時間の両方を含む)を調査し,光電流信号の特徴は,赤外レーザビーム(λIR=830nm)詳細に下で検討した。著者らの実験結果は,BP FETのオフ状態における光起電力効果のために,6ms以下の立ち上がり時間と23ms以下の立下り時間が得られたことを明らかにした黒りん光検出器の非常に速い応答を示した。これらは超高速光電子デバイスとしてBPベースのFETの応用に有望である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光検出器 ,  電流電圧特性 ,  *高速度 ,  FET【トランジスタ】 ,  赤外レーザ ,  光電流 ,  光起電力効果 ,  *黒リン ,  多層
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  超高速 ,  オフ状態 ,  立上り時間 ,  直接バンドギャップ ,  *光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  光電デバイス一般  (NC03081P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 黒りん ,  光検出器 ,  光応答