文献

J-GLOBAL ID：201702285736884223   整理番号：17A1622168

光電気化学電極のためのSi/ZnOコア/シェルナノワイヤアレイの簡単な製作【Powered by NICT】

Simple fabrication of Si/ZnO core/shell nanowire arrays for photoelectrochemical electrodes

著者 (4件)： Li Wei (School of Information and Control Engineering, Liaoning Shihua University, Fushun 113001, China) ,  Guan Zijia (School of Information and Control Engineering, Liaoning Shihua University, Fushun 113001, China) ,  Gao Yunpeng (School of Information and Control Engineering, Liaoning Shihua University, Fushun 113001, China) ,  Ji Jiuyu (School of Information and Control Engineering, Liaoning Shihua University, Fushun 113001, China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 688  ページ： 79-83  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積Si/ZnOコア/シェルナノワイヤ(NW)アレイを,金属アシスト化学エッチングとゾル-ゲル法により作製した。Si/ZnONWアレイのアニーリング温度に光電流密度の依存性を示した。900°Cでアニールしたコア/シェルNWアレイは,より高い温度でアニールしたコア/シェルアレイのために500°Cでアニールした試料に比べて2.4倍による光電流は,より低い欠陥密度を持つ増強した。nSi/ZnONWアレイはn/n接合によるp-Si/n-ZnO NWアレイは電荷分離を促進し,再結合を最小化よりも大きな光電流を示したことを観察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 欠陥密度 ,  電荷分離 ,  *光電気化学 ,  ゾル-ゲル法 ,  光電流 ,  電流密度 ,  ウェットエッチング ,  *酸化亜鉛 ,  再結合 ,  温度依存性
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  大面積 ,  *電気化学電極 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コア/シェルナノワイヤアレイ ,  シリコンナノワイヤ ,  酸化亜鉛 ,  光電気化学 ,  水分裂

分類 (4件)： 物理化学一般  (CB01010X) ,  物理分析一般  (CC03011F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電気化学電極 ,  Si ,  ZnO ,  コア ,  シェル ,  ナノワイヤアレイ ,  製作