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J-GLOBAL ID：201702285809895323   整理番号：17A0509821

GaNナノワイヤの極性誘起選択領域エピタキシー

Polarity-Induced Selective Area Epitaxy of GaN Nanowires

著者 (9件)： DE SOUZA SCHIABER Ziani (Universidade Estadual Paulista Bauru, Sao Paulo, BRA) ,  CALABRESE Gabriele (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  KONG Xiang (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  TRAMPERT Achim (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  JENICHEN Bernd (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  DIAS DA SILVA Jose Humberto (Universidade Estadual Paulista Bauru, Sao Paulo, BRA) ,  GEELHAAR Lutz (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  BRANDT Oliver (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU) ,  FERNANDEZ-GARRIDO Sergio (Paul-Drude-Inst. Festkoerperelektronik, Berlin, DEU)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 17  号： 1  ページ： 63-70  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 予めパターン化した基板を用いることなく,プラズマ支援分子ビームエピタキシー(PA-MBE)によって,単結晶GaNのナノワイヤ(NWs)の選択領域エピタキシー(SAE)を達成する,概念的に新しい成長アプローチを示した。Ga-極性GaN膜上でのSiの堆積と窒化物形成によって,部分的に極性を逆転し,N-極性GaNナノワイヤのSAEを誘起した。前堆積Siの量を変えることで,ナノワイヤの数密度を数桁にわたって制御できる。この方法によって,20 nmの小さな直径の単結晶性および非癒着型のナノワイヤを合成できる。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  *エピタクシー ,  *選択成長 ,  MBE成長 ,  ケイ素 ,  酸化物 ,  窒化物
準シソーラス用語： *選択エピタキシー ,  プラズマ支援MBE成長 ,  酸窒化物

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  極性 ,  誘起 ,  エピタキシー