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J-GLOBAL ID：201702285816575110   整理番号：17A0908071

単層MoS_2との相互作用における欠陥O_2分子との安定性:第一原理研究【Powered by NICT】

Stability of defects in monolayer MoS₂ and their interaction with O₂ molecule: A first-principles study

著者 (5件)： Zhao B. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan, 430072, PR China) ,  Shang C. (Wuhan National High Magnetic Field Center, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, PR China) ,  Qi N. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan, 430072, PR China) ,  Chen Z.Y. (School of Nuclear Technology and Chemistry & Biology, Hubei University of Science and Technology, Xianning, 437100, PR China) ,  Chen Z.Q. (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, Wuhan, 430072, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 412  ページ： 385-393  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層MoS_2における種々の欠陥,および自由O_2分子との相互作用の安定性は,ナッジド弾性バンド(NEB)法と組み合わせた密度汎関数理論(DFT)計算によって研究した。S空格子点(monosulfurとdisulfue空格子点),アンチサイト欠陥(Mo_S)と外部Mo原子を含む欠陥は単分子層MoS_2着実に存在することができ,これらの欠陥系における欠陥準位,表面化学的不活性を破壊し,自由O_2の吸着容量を著しく増大させるを導入した。吸着エネルギー計算と電子的性質の分析から,O_2分子と欠陥系の間の強い相互作用があることを示唆した。欠陥表面上に吸着したO_2は低い活性化エネルギー障壁,二つの活性酸素原子を生成すると解離することができる。特に,二Mo原子は1Mo格子サイトを占有することができ,,Mo原子の頂部に吸着したO_2は最も低い活性化エネルギー障壁と直接解離することができる。,著者らの研究は,設計MoS_2ベースガスセンサや触媒に有用な情報を提供する可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  活性酸素 ,  単分子層 ,  *単一層 ,  吸着エネルギー ,  密度汎関数法 ,  *モリブデン ,  欠陥準位 ,  *相互作用 ,  強い相互作用 ,  計算 ,  界面化学 ,  *第一原理
準シソーラス用語： 吸着容量 ,  アンチサイト欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MoS_2 ,  欠陥 ,  相互作用 ,  第一原理

分類 (1件)： 吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単層 ,  相互作用 ,  欠陥 ,  分子 ,  安定性 ,  第一原理 ,  研究