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J-GLOBAL ID：201702285837527409   整理番号：17A1778653

ヘテロ接合バイポーラトランジスタのためのパラメータスケーリングからの結果に及ぼす外部コレクタ抵抗の影響の評価【Powered by NICT】

Evaluation of the impact of the external collector resistance on results from parameter scaling for heterojunction bipolar transistors

著者 (2件)： Pawlak Andreas (Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Germany) ,  Schroter Michael (Dept. of Electrical and Computer Engineering, UC San Diego, La Jolla, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： BCTM  ページ： 86-89  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外部コレクタ抵抗,内部集熱器ノードにコレクタ端末から電圧降下を表す,対応する時定数はバイポーラトランジスタの幾何的に縮尺可能なコンパクトモデルパラメータの抽出に大きな影響を持つことができることを実証した。さらに,広く使用されている二抽出法の精度は2次元数値デバイスシミュレーションと異なるエミッタ幅のトランジスタのコンパクトモデルから得られたデータに基づいて評価した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 時定数 ,  *トランジスタ ,  端末装置 ,  二次元 ,  *HBT【トランジスタ】 ,  *バイポーラトランジスタ ,  電圧降下 ,  幾何学
準シソーラス用語： コンパクトモデル ,  デバイスシミュレーション ,  縮尺 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  コレクタ ,  影響の評価