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J-GLOBAL ID：201702285857658589   整理番号：17A1113006

金ナノ粒子アレイを用いた抵抗結合単一電子素子の作製

Fabrication of resistively-coupled single-electron device using an array of gold nanoparticles

著者 (7件)： HUONG Tran Thi Thu (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  MATSUMOTO Kazuhiko (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  MORIYA Masataka (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  SHIMADA Hiroshi (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  KIMURA Yasuo (Tokyo Univ. Technol., Tokyo, JPN) ,  HIRANO-IWATA Ayumi (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  MIZUGAKI Yoshinao (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 8  ページ： 557,1-7  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗結合単一電子トランジスタ(R-SET)は,サブ1Kの極低温でしか動作しないという欠点を持っていた。本報では,直径15nmの金ナノ粒子(Au-NP)と直径3nmのAu-NPという2タイプのAu-NPを用いて動作温度の改善を試みた。此処で,15nm直径のAu-NPはドレインとソース電極間の広い(200nm幅)ギャップへの導電率に寄与するために,3nm直径のものは素子の高温動作を可能にする大充電エネルギーを得るために用いた。モンテカルロシミュレーションを,SIMONプログラムを用いて実行した。結果の素子は77Kと287Kにおいて,R-SET様の特性を再現した。

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  *金 ,  アレイ ,  *単一電子トランジスタ ,  化学吸着 ,  モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション ,  Coulombブロッケード ,  *電流電圧特性 ,  単一電子トンネル効果 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： *金ナノ粒子 ,  Coulombダイヤモンド

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

物質索引 (1件)： 1-デカンチオール

タイトルに関連する用語 (4件)： 金ナノ粒子 ,  アレイ ,  単一電子素子 ,  作製