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J-GLOBAL ID：201702285895930935   整理番号：17A0057886

1200V単一チップSiC MOSFETとSi IGBTの短絡能力の比較と解析【Powered by NICT】

Comparison and analysis of short circuit capability of 1200V single-chip SiC MOSFET and Si IGBT

著者 (4件)： Sun Jiahui (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China) ,  Xu Hongyi (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China) ,  Wu Xinke (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China) ,  Sheng Kuang (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 42-45  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市販SiC MOSFETの短絡能力を解析し,それは市販のSi IGBTの性能と比較した。短絡試験中の接合温度は本研究で解析した。テストベンチは,離散MOSFETおよびIGBTの短絡試験用に設計した。類似の電流定格とInfineon(IKW25N120H3)からWolfspeed(C2M0080120D)と1200V Si IGBTの商業的に利用可能な1200V SiC MOSFETを試験した。1200V SiC MOSFETの短絡耐性時間(t_cr)である1200V Si IGBTのそれよりはるかに短かった。構造パラメータに基づく一次元過渡的有限要素熱モデルを構築し,短絡回路の動作期間中の接合温度曲線を調べることである。熱発生の解析によると,SiC MOSFETの短絡能力は主にP-N接合と高い短絡電流密度で高電場により制限される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *IGBT ,  電流 ,  構造パラメータ ,  *炭化ケイ素 ,  一次元 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 高電場 ,  短絡電流密度 ,  熱モデル ,  有限要素 ,  テストベンチ ,  接合温度 ,  短絡試験 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  MOSFET ,  Si ,  IGBT ,  短絡 ,  能力 ,  解析