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J-GLOBAL ID：201702286037262440   整理番号：17A0697227

有限差分法によるGaN MESFETテラヘルツ信号発生器の設計と機能【Powered by NICT】

Design and function of GaN MESFET terahertz signal generator by finite difference method

著者 (3件)： Kodigala Subba Ramaiah (Department of Electrical and Computer Engineering, California State University, Northridge, CA, 91330, USA) ,  Chattopadhyay Somnath (Department of Electrical and Computer Engineering, California State University, Northridge, CA, 91330, USA) ,  Overton Charles B. (Department of Electrical and Computer Engineering, California State University, Northridge, CA, 91330, USA)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 62  ページ： 126-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系金属-半導体電界効果トランジスタ(MESFET)素子は,テラヘルツ信号の発生に非常に良く適合するために有限差分法を用いて設計した。等電位とequi電場輪郭は,ドレインおよびゲート電圧の変化で開発された広くした。電圧の変化によるGunnドメインの運動は常にMESFETのチャネル領域における排出源から観察された。事実,ドメインは等電位輪郭よりequi電場輪郭でより明白に見ることができる。MESFET中の電子濃度(n)の分布も右連続緩和因子と電子緩和時間を適合させることにより定常状態モードで決定した。ドレインのI-V曲線は有限差分法におけるGummelプロセスを用いて試験した。MESFETデバイスはデバイス,キャリア濃度,移動度などの形状のような物理的パラメータを調整することによって,ミリ波領域における26.5GHz出力信号を得るように設計した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *テラヘルツ波 ,  *差分法 ,  *信号発生器 ,  キャリア密度 ,  電圧 ,  *窒化ガリウム ,  緩和現象 ,  電位 ,  移動度 ,  チャネル ,  *MESFET ,  電場 ,  EHF波
準シソーラス用語： 定常状態 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有限差分法 ,  GaN ,  MESFET ,  テラヘルツ ,  信号発生器 ,  設計