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J-GLOBAL ID：201702286082610961   整理番号：17A1913174

Stone-Wales型欠陥のあるジグザグ型InPナノリボンの構造・電子特性

Structural and electronic properties of zigzag InP nanoribbons with Stone-Wales type defects

著者 (6件)： LONGO R C (Universidad de Santiago de Compostela, Santiago de Compostela, ESP) ,  LONGO R C (Univ. Texas at Dallas, TX, USA) ,  CARRETE J (Universidad de Santiago de Compostela, Santiago de Compostela, ESP) ,  CARRETE J (LITEN, CEA-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  VARELA L M (Universidad de Santiago de Compostela, Santiago de Compostela, ESP) ,  GALLEGO L J (Universidad de Santiago de Compostela, Santiago de Compostela, ESP)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 28  号： 6  ページ： 065503,1-8  発行年： 2016年02月17日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *欠陥 ,  *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  密度汎関数法 ,  六方晶系 ,  不動態化 ,  吸着 ,  グラフェン ,  ケイ素 ,  *バンドギャップ ,  電場効果 ,  バンド構造
準シソーラス用語： *Stone-Wales欠陥 ,  グラフェンシート ,  シリセン ,  *ナノリボン ,  間接バンドギャップ ,  水素吸着 ,  直接バンドギャップ ,  表面不動態化

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 欠陥 ,  InP ,  ナノリボン ,  電子