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J-GLOBAL ID：201702286113049778   整理番号：17A1448838

SnO₂(110)-(4×1)表面の構造

Structure of the SnO₂(110)-(4 × 1) Surface

著者 (13件)： MERTE Lindsay R. (Lund Univ., Lund, SWE) ,  JORGENSEN Mathias S. (Aarhus Univ., Aarhus, DNK) ,  PUSSI Katariina (LUT School of Engineering Sci., Lappeenranta, FIN) ,  GUSTAFSON Johan (Lund Univ., Lund, SWE) ,  SHIPILIN Mikhail (Lund Univ., Lund, SWE) ,  SCHAEFER Andreas (Lund Univ., Lund, SWE) ,  ZHANG Chu (Lund Univ., Lund, SWE) ,  RAWLE Jonathan (Diamond Light Source, Didcot, GBR) ,  NICKLIN Chris (Diamond Light Source, Didcot, GBR) ,  THORNTON Geoff (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  LINDSAY Robert (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  HAMMER Bjork (Aarhus Univ., Aarhus, DNK) ,  LUNDGREN Edvin (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 119  号： 9  ページ： 096102.1-096102.6  発行年： 2017年09月01日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *表面構造 ,  X線回折 ,  低速電子回折 ,  密度汎関数法 ,  *表面再構成 ,  スパッタリング ,  焼なまし ,  クラスタ ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  空格子点 ,  *格子間原子 ,  *還元
準シソーラス用語： *二酸化スズ ,  SXRD【分析】 ,  アニーリング ,  酸素空孔

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)