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J-GLOBAL ID：201702286120970008   整理番号：17A1444480

コヒーレント成長させたm面InGaN膜におけるIn原子の周りの局所構造【Powered by NICT】

Local structure around In atoms in coherently grown m-plane InGaN film

著者 (4件)： Miyanaga Takafumi (Department of Mathematics and Physics, Hirosaki University, Hirosaki, Aomori036-8561, Japan) ,  Azuhata Takashi (Department of Mathematics and Physics, Hirosaki University, Hirosaki, Aomori036-8561, Japan) ,  Nitta Kiyofumi (Japan Synchrotron Radiation Research Institute, Sayo, Hyogo679-5198, Japan) ,  Chichibu Shigefusa F. (Institute of Multidisciplinary Research for Advanced Materials, Tohoku University, Aoba, Sendai980-8577, Japan)
資料名： Journal of Synchrotron Radiation  (Journal of Synchrotron Radiation)
巻： 24  号： 5  ページ： 1012-1016  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0763A  ISSN： 0909-0495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自立m面GaN基板上にコヒーレント成長させたm面In_0 0.06Ga_0 0.94N膜中のIn原子の周りの局所構造を偏光依存X線吸収微細構造により調べた。m面ウルツ鉱型構造のために提案した段階的フィッティング法。第一最近接In-N原子対の原子間距離はほぼ等方的であった。第二近接In-Ga対では,m面圧縮歪に対して予想されるようにmand a軸に沿った原子間距離は無歪仮想結晶のものより,それぞれ,長く短かった。対照的に,c軸方向のIn-Ga原子間距離は圧縮歪にもかかわらず,m面上の異方的原子構造の観点から説明されるに伸びた。m面膜における局所歪はコヒーレントに成長させたc面単一量子井戸よりも緩和した。いくつかのIn原子は全ての方向における原子的に局在し,このようにして局在化した励起子発光をc面InGaNの場合のように期待されている。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インジウム ,  XAFS ,  結晶 ,  *コヒーレンス ,  *窒化ガリウム ,  核間距離 ,  原子構造 ,  偏光 ,  局所歪 ,  圧縮歪 ,  ウルツ鉱型構造 ,  *局所構造 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： 励起子発光 ,  局在化 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： m面 ,  InGaN ,  XA FS ,  局所構造 ,  段階的フィッティング法

分類 (2件)： X線技術  (BA02060D) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： コヒーレント ,  成長 ,  InGaN ,  原子 ,  局所構造