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J-GLOBAL ID:201702286182118304   整理番号:17A1918325

二層グラフェンシリコン導波路に基づくMach-Zehnder変調器【Powered by NICT】

The Mach-Zehnder modulator based on bi-layer graphene-silicon-waveguide
著者 (2件):
資料名:
巻: 2017  号: ICOCN  ページ: 1-3  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコン導波路内の二層グラフェンを挿入することにより,全体的な導波路の変調能力を大きく向上させることができることを示した。この構造に基づくMach-Zehnder変調器を提案し,計算結果は,変調器は,小フットプリント(35 μm~2)と高い消光比(31 dB)の点ですぐれた性能を示した。に加えて,低印加電圧を必要とし,CMOS技術に適合することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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光変調器 
タイトルに関連する用語 (4件):
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