文献

J-GLOBAL ID：201702286191440144   整理番号：17A1836251

安定ナノワイヤCdS-CdTe太陽電池の数値モデリングとシミュレーション【Powered by NICT】

Numerical modeling and simulation of stable nanowire CdS-CdTe solar cells

著者 (4件)： Dang Hongmei (Department of Electrical and Computer Engineering, University of the District of Columbia, Washington DC, 20008, U.S.A.) ,  Ososanya Esther (Department of Electrical and Computer Engineering, University of the District of Columbia, Washington DC, 20008, U.S.A.) ,  Zhang Nian (Department of Electrical and Computer Engineering, University of the District of Columbia, Washington DC, 20008, U.S.A.) ,  Singh Vijay (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Kentucky, Lexington, KY, 40506-0046, U.S.A.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NANO  ページ： 171-176  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノワイヤCdS-CdTe太陽電池を作製し,それらの信頼性を120時間120°Cの周囲空気中で焼なまし炉で測定した。数値シミュレーションモデルは,作製後と120時間熱アニーリング後のナノワイヤ太陽電池の測定されたJ-V特性をシミュレートするために確立した。シミュレーションモデルは,CdTe層におけるドナートラップ濃度は120時間アニーリング後に7.2×10~14cm~3から7.6×10~14cm~3に増加したことを示した。しかし,CdSナノワイヤ中のアクセプタトラップは120時間アニーリング後に同じ濃度を維持した。シミュレーションモデルは,CdTe層におけるドナートラップは主にナノワイヤ太陽電池の効率損失に寄与することを示す。CdSナノワイヤの低欠陥特徴は,デバイス信頼性に役割を果たしている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  *テルル化カドミウム ,  *太陽電池 ,  信頼性 ,  シミュレーションモデル ,  焼なまし ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： 熱アニーリング ,  数値シミュレーション ,  周囲空気 ,  *数値モデリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： コロイド化学一般  (CB11010C) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノワイヤ ,  CdS ,  CdTe ,  太陽電池 ,  数値モデリング ,  シミュレーション