文献

J-GLOBAL ID：201702286292838757   整理番号：17A0794352

ジグザググラフェンナノリボンのエッジに吸着したチオフェン分子のスピン分極特性【Powered by NICT】

Spin polarization properties of thiophene molecule adsorbed to the edge of zigzag graphene nanoribbon

著者 (6件)： Yuan X.B. (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, China) ,  Yang M.S. (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, China) ,  Tian Y.L. (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, China) ,  Cai L.L. (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, China) ,  Ren J.F. (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, China) ,  Ren J.F. (Institute of Materials and Clean Energy, Shandong Normal University, Jinan 250014, China)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 226  ページ： 46-49  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジグザググラフェンナノリボン(GNR)の端部に吸着したチオフェン分子のスピン分極特性を,密度汎関数理論計算に基づいて研究した。チオフェン分子の間の電荷移動とジグザグGNR,チオフェン分子の結合長を変化させることを示した。電荷移動のもう一つの結果は,チオフェン分子の自発スピン分極である。自発スピン分極の機構も状態密度の解析に基づいて議論した。は炭素原子のp軌道とチオフェン分子の硫黄原子はFermiエネルギー近傍のスピン分裂をなることが見出されているので,スピン分裂したp軌道の選択的充填はチオフェン分子スピンを偏光する。ジグザグGNRに吸着したチオフェン分子の自発スピン分極は,グラフェンベース有機スピントロニクスデバイスへの新しい経路となる可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷移動 ,  *グラフェン ,  炭素 ,  *折れ線 ,  密度汎関数法 ,  硫黄 ,  *スピン分極 ,  偏光 ,  核間距離 ,  Fermi準位 ,  スピントロニクス ,  状態密度 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： スピン分裂 ,  密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 分子スピントロニクス ,  グラフェン ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 有機化合物の磁性  (BM06070A) ,  分子の電気的・磁気的性質  (BH05032U)

物質索引 (1件)： チオフェン

タイトルに関連する用語 (7件)： ジグザグ ,  グラフェンナノリボン ,  エッジ ,  吸着 ,  チオフェン ,  分子 ,  スピン分極