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J-GLOBAL ID：201702286340497980   整理番号：17A1342972

in situ多孔質SiN_x中間層をもつN極性GaN膜の成長最適化と機構【Powered by NICT】

The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiN_x interlayer

著者 (10件)： Deng Gaoqiang (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Qianjin Street 2699, Changchun 130012, China. [e-mail]) ,  Zhang Yuantao ,  Huang Zhen ,  Yan Long ,  Li Pengchong ,  Han Xu ,  Yu Ye ,  Chen Liang ,  Zhao Degang ,  Du Guotong
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 30  ページ： 4330-4337  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,N極性GaN膜を有機金属化学気相蒸着法による微斜面C面SiC基板上に成長させた。0sから120sの異なる堆積時間を用いたin situ多孔質SiN_x中間層はN極性GaN膜の成長過程を採用した。N極性GaN膜の結晶品質,表面形態および構造特性など,SiN_x中間層の堆積時間を変えることによって制御できることを見出した。60年代のSiN_x堆積時間と共にN極性GaN膜が最も良い結晶性を示した。原子間力顕微鏡を用いて得られた位相画像からSiN_x中間層の観察された多孔質特徴に基づいて,著者らは,多孔質SiN_x中間層の上に成長したN極性GaN膜のエピタキシャル成長機構を説明するモデルを提案した。このモデルでは,SiN_x堆積時間はSiN_x被覆と被覆成長させたGaNの核形成アイランド密度,N極性GaN膜の構造特性に大きく影響することを決定することを明らかにした。このモデルはまた,N極性GaN膜の応力状態に及ぼすSiN_x堆積時間の影響を解析するために用いることができる。さらに,貫通転位伝搬挙動をSiN_x中間層,これはこのモデルの妥当性を示したとN極性GaNの断面透過型電子顕微鏡像から実験的に観察された。本研究は,N極性GaN系オプトエレクトロニクスデバイスの作製に使用できる高品質GaN膜を得るための貴重な情報を提供すると考えられる合理的である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  原子間力顕微鏡 ,  被覆 ,  *最適化 ,  貫通転位 ,  構造特性 ,  蒸着 ,  *多孔性 ,  *極性 ,  核形成 ,  結晶度 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： 高品質 ,  表面形態 ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中間層 ,  極性 ,  GaN ,  成長 ,  最適化