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J-GLOBAL ID：201702286379431290   整理番号：17A0449549

基板配置と裏面接触セレン化におけるSb_2Se_3薄膜太陽電池【Powered by NICT】

Sb₂Se₃ thin film solar cells in substrate configuration and the back contact selenization

著者 (11件)： Li Zhiqiang (Institute of Photovoltaics, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Chen Xu (Institute of Photovoltaics, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Zhu Hongbing (Institute of Photovoltaics, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Zhu Hongbing (Institute of New Energy Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China) ,  Chen Jingwei (Institute of Photovoltaics, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Guo Yuting (Institute of Photovoltaics, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Zhang Chong (Institute of Photovoltaics, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Zhang Wen (Institute of Photovoltaics, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Niu Xiaona (Institute of Photovoltaics, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Mai Yaohua (Institute of Photovoltaics, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China) ,  Mai Yaohua (Institute of New Energy Technology, Jinan University, Guangzhou 510632, China)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 161  ページ： 190-196  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,セレン化アンチモン(Sb_2Se_3)薄膜をモリブデン(Mo)を被覆したソーダ石灰ガラス上にSb_2Se_3とセレン(Se)源の共蒸発により作製した。太陽電池はAg/ITO/ZnO/CdS/Sb_2Se_3/Mo/Glassの基質構成で作成した。[hk1]優先方位結晶粒は,その特別な一次元結晶構造のために高性能太陽電池に有益であることが分かった。Sb_2Se_3堆積前にMoセレン化過程はSb_2Se_3/Mo界面を改善するために導入した。材料のキャラクタリゼーションとデバイス物理解析から,Moセレン化によるMoSe_2の形成は,Sb_2Se_3の[221]優先配向を増強し,ヘテロ接合の品質を改善し,開回路電圧(V_OC)と曲線因子(FF)の顕著な増加をもたらすことを明らかにした。チャンピオン太陽電池は,4.25%の変換効率を示した427mVのV_OCと58.15%のFFを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶粒 ,  キャラクタリゼーション ,  *太陽電池 ,  一次元 ,  ヘテロ接合 ,  結晶構造 ,  ソーダ石灰ガラス ,  優先配向 ,  界面 ,  蒸発 ,  変換効率 ,  セレン化アンチモン ,  *薄膜太陽電池
準シソーラス用語： 曲線因子 ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Sb_2Se_3 ,  熱蒸発 ,  基板 ,  太陽電池 ,  MoSe_2

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 裏面接触 ,  セレン化 ,  薄膜太陽電池