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J-GLOBAL ID：201702286592669461   整理番号：17A1529236

積層薄膜ベース電荷トラップメモリのメモリ性能研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation on the Memory Performances of Stacked Films Based Charge Trap Memory

著者 (3件)： Tang Zhenjie (安陽師范学院物理与電气工程学院,河南安陽,455000) ,  Zhang Ting (河南大学物理与電子学院,河南開封,475004) ,  Yin Jiang (南京大学材料科学与工程系,固体微結構物理国家重点実験室,南京210093)
資料名： Henan Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban  (Henan Daxue Xuebao. Ziran Kexue Ban)
巻： 47  号： 1  ページ： 92-96  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1496A  ISSN： 1003-4978  CODEN： HZKEEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの特性サイズの減少により,従来の浮動ゲート型記憶装置は,その物理的および技術的限界に近づくようになりつつあり,それらの特性は非常に重要になっている。多結晶シリコン-酸化物-窒化物-酸化物-シリコン(SONOS)型電荷貯蔵デバイスは,低電圧,小サイズ,良好な両立性などの特性を有する半導体産業の研究の焦点となっている。しかし、書き込み/消去速度とデータ保持性能の間のバランス問題はずっとSONOS型記憶装置の発展を制約している。この問題を解決するため、本論文では、パルスレーザー蒸着システムを用いて、積層薄膜ベースの電荷トラップ貯蔵デバイスを作製し、その中でSiO2をトンネリング層とし、積層ZrO2/Al2O3を電荷貯蔵層とし、Al2O3をバリア層とし、デバイスの電荷貯蔵性能について系統的に分析した。透過型電子顕微鏡(TEM)を用いてデバイスの微細構造を特性化し,4200の半導体パラメータ分析器を用いてデバイスの電気的性質を測定し,メモリ窓,書き込み/消去速度およびデータ保持性能を含むことを示した。研究結果により、メモリーデバイスは良好な電荷貯蔵性能を有することが分かった。ゲート走査電圧が±2Vのとき,メモリ窓は0.9Vになり,電圧が±6と±8Vに増加すると,メモリ窓はそれぞれ3と4.4Vに達した。+8V,5×10-5sの書き込み操作において,オフセットオフセットは1Vに達した。室温,85および150°Cの試験温度において,1×105sのデータ保持時間によって,デバイスのメモリ窓の減少は,それぞれ5%,10%および24%であった。優れた電気的性質は主にZrO2とAl2O3の間の深準位界面トラップと層間障壁に帰せられる。従って、ZrO2/Al2O3積層薄膜構造を電荷貯蔵層として採用することは、良好な市場応用の見通しがある。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気的性質 ,  アルミナ ,  半導体素子 ,  窒化物 ,  *薄膜 ,  フローティングゲート ,  半導体 ,  トンネル効果 ,  帯電 ,  *記憶装置 ,  電圧 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ポリシリコン ,  酸化ジルコニウム
準シソーラス用語： *電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZrO2/Al2O3stacked films ,  charge traps ,  memory ,  pulse laser deposition

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  電荷トラップ ,  研究