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J-GLOBAL ID:201702286612172725   整理番号:17A1723972

高く励起された電荷キャリアにより誘起されたグラフェンにおけるフォノン異常【Powered by NICT】

Phonon anomalies in Graphene induced by highly excited charge carriers
著者 (11件):
資料名:
巻: 2017  号: CLEO/Europe-EQEC  ページ:発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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電子-フォノン散乱と非調和性は支配的な機構,グラフェン[1]における平衡フォノン特性を記述することを可能にするし,Raman散乱は,それらの特性化のための主要なツール[2]である。光励起後fs最初の十では,(ホット)電子の平衡分布は(冷)フォノン浴に関して誘導された。数ピコ秒内で,高速電子-電子および電子-フォノン非放射再結合チャンネルは電子分布と格子間の平衡を決定した。,実験室レベルの時間尺度における,高分解能自然Raman散乱に一般的に使用され,連続波レーザ光源は既に平衡キャリア-フォノン分布を調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  ,  炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (5件):
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