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J-GLOBAL ID：201702286623533789   整理番号：17A0953636

n-CdSe/マイカエピタキシャル層ベースの位置敏感光検出器の特性の実験的及び理論的研究

Experimental and Theoretical Studies of the Characteristics of Position-Sensitive Photodetectors based on n-CdSe/Mica Epitaxial Layers

著者 (6件)： SENOKOSOV E. A. (Shevchenko Transnistria State Univ., Tiraspol, MDA) ,  CHUKITA V. I. (Shevchenko Transnistria State Univ., Tiraspol, MDA) ,  KHAMIDULLIN R. A. (Shevchenko Transnistria State Univ., Tiraspol, MDA) ,  CHEBAN V. N. (Shevchenko Transnistria State Univ., Tiraspol, MDA) ,  ODIN I. N. (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  CHUKICHEV M. V. (Moscow State Univ., Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 5  ページ： 657-662  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-CdSe/マイカエピタキシャル層をベースにして製作した4点接触の半導体位置敏感光検出器(SPSPD)の極線図を実験的に調べた。n-CdSe光検出器の位置感度を基礎的電流理論と電気双極子モデルに基づいて解析した。n-CdSe SPSPD座標感度の計算した特性が曲線形状と最大の位置に関して実験での依存性と相関していることが分かった。n-CdSe光検出器の特定分光感度を80mV/(μA mV)のときに決定した。等励起条件のもとで,n-CdTe基づいて製作したSPSPDの感度を12倍超え,CdSe層に基づいたSPSPDの明らかな展望を示す。高い座標感度もn-CdSe層の展望を確認し,これはn-CdSe SPSPDの応用を示すのに重要である。

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  *雲母 ,  *エピタクシー ,  検出 ,  *光検出器 ,  *電気双極子 ,  分光感度 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： マイカ ,  *位置検出

分類 (2件)： 幾何学的・力学的量の計測一般  (AD05010D) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： CdSe ,  マイカ ,  エピタキシャル層 ,  光検出器 ,  実験 ,  理論 ,  研究