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J-GLOBAL ID：201702286663113130   整理番号：17A0598562

原子論的シミュレーションを用いた単層カーボンナノチューブベースナノデバイスの界面接触形態と挙動の検討

Investigating interfacial contact configuration and behavior of single-walled carbon nanotube-based nanodevice with atomistic simulations

著者 (15件)： CUI Jianlei (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  CUI Jianlei (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  CUI Jianlei (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  CUI Jianlei (City Univ. Hong Kong, HKG) ,  ZHANG Jianwei (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  ZHANG Jianwei (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHANG Jianwei (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  HE Xiaoqiao (City Univ. Hong Kong, HKG) ,  HE Xiaoqiao (City Univ. Hong Kong Shenzhen Res. Inst., Shenzhen, CHN) ,  MEI Xuesong (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  WANG Wenjun (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  YANG Xinju (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  XIE Hui (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  YANG Lijun (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  WANG Yang (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
資料名： Journal of Nanoparticle Research  (Journal of Nanoparticle Research)
巻： 19  号： 3  ページ： 110,1-10  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W1361A  ISSN： 1388-0764  CODEN： JNARFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子論的シミュレーション分子動力学法を用いて,単層カーボンナノチューブ(SWNT)ベースナノデバイスの界面接触形態の研究を実施した。SWNT-Au系では,ナノチューブはAu/Ag/グラファイト電極の表面で壊れた。これをエネルギー観点から解析すると,異なる変形度は,反発成分および分散成分を含む異なるファンデルワールスエネルギーによって決定される。また,Au電極をAgまたはグラファイト材料で置き換えると,強力なファンデルワールス力のもとで,壊れが依然として存在する。ナノチューブは,SWNTがSiまたはSiO₂基板表面上に配置されたときにわずかな変形しか有さない。Au/Ag/グラファイト電極表面上で完全な崩壊を伴って,またSi/SiO₂基板表面上のわずかな歪みを伴ってナノチューブ表面の中まで崩壊する。

シソーラス用語： *計算機シミュレーション ,  分子動力学 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  固体素子 ,  ナノ構造 ,  金電極 ,  ケイ素 ,  半導体 ,  基板 ,  二酸化ケイ素 ,  *変形 ,  *崩壊 ,  黒鉛電極 ,  電極 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *原子論的シミュレーション ,  グラファイト電極 ,  銀電極

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子論的シミュレーション ,  単層カーボンナノチューブ ,  ナノデバイス ,  界面 ,  形態 ,  挙動