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J-GLOBAL ID：201702286725632336   整理番号：17A1307469

CdSeナノ構造の電気化学的成長およびそれらの光電気化学性能に対する界面活性剤の影響

Influence of surfactants on electrochemical growth of CdSe nanostructures and their photoelectrochemical performance

著者 (10件)： KAMBLE A. S. (SPPU, Maharashtra, IND) ,  PATIL V. L. (Karmaveer Hire Arts, Sci., Commerce and Education Coll., Gargoti, IND) ,  PATIL V. L. (Shivaji Univ., Maharashtra, IND) ,  SINHA B. B. (Univ. Mumbai, Mumbai, IND) ,  SINHA B. B. (Korea Inst. of Material Sci., Changwon, KOR) ,  VANALAKAR S. A. (Karmaveer Hire Arts, Sci., Commerce and Education Coll., Gargoti, IND) ,  DHERE S. L. (Shri S.H. Kelkar Coll. of arts, commerce and science, Maharashtra, IND) ,  KALE S. S. (SPPU, Maharashtra, IND) ,  PATIL P. S. (Shivaji Univ., Maharashtra, IND) ,  KIM J. H. (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
資料名： Journal of Solid State Electrochemistry  (Journal of Solid State Electrochemistry)
巻： 21  号： 9  ページ： 2649-2653  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： W1021A  ISSN： 1432-8488  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FTO被覆ガラス基板上にCdSeを高分子界面活性剤のポリエチレングリコール(PEG)およびポリビニルピロリドン(PVP)の共存状態で電着により薄膜成長させた。PEGおよびPEPがCdSe薄膜の物理化学的性質および電気化学的性能に及ぼす影響を調べた。CdSe薄膜の表面モルフォロジーは界面活性剤により大きな影響を受け,CdSeの密な粒状形態はPEGの添加により相互に連結したファイバー状ネットワークに,そしてPVPの添加により発芽したナノロッド状の形状になった。電力変換効率は粒状構造のCdSeでは0.16%,ナノファイバー状CdSeでは0.24%,そして発芽したナノロッド状CdSeでは0.55%であった。非添加状態と比較してPVPの添加による4倍もの電気化学的性能の向上は密なナノ構造から多孔性で高い表面積のナノ構造への変化に起因する。

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  電着 ,  *ポリエチレンオキシド ,  *ポリビニルピロリドン ,  *薄膜成長 ,  電気化学的挙動 ,  電流電圧特性 ,  光学ギャップ ,  高分子界面活性剤 ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  構造 ,  繊維 ,  集合組織 ,  ナノロッド ,  太陽電池 ,  *光電気化学 ,  半導体薄膜 ,  光起電力効果
準シソーラス用語： 光学バンドギャップ ,  繊維構造 ,  粒状構造

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  電池一般  (YB04010O) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： CdSe ,  ナノ構造 ,  電気化学 ,  成長 ,  光電気化学 ,  界面活性剤