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J-GLOBAL ID：201702286816251183   整理番号：17A1820775

50GHz能動LC CMOS発振器:理論的研究と実験的証明【Powered by NICT】

50 GHz active-LC CMOS oscillator: Theoretical study and experimental proofs

著者 (3件)： Pepe Domenico (DISMI, Universita di Modena e Reggio Emilia, Reggio Emilia, Italy) ,  Chlis Ilias (Xilinx, Cork, Ireland) ,  Zito Domenico (Department of Engineering, Aarhus University, Aarhus, Denmark)
資料名： Radio Science  (Radio Science)
巻： 52  号： 9  ページ： 1117-1128  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0674B  ISSN： 0048-6604  CODEN： RASCAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LCタンクにおける高Q能動インダクタを用いた50GHz交差結合差動対発振器は65nmバルク相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術で設計し,作製した。動作原理を説明し,完全な理論的研究を行った。開ループ伝達関数,振動周波数,始動条件,タンクインピーダンス,および位相雑音のための解析式を導出した。分析研究の結果は,Cadence設計環境における,SpectraRFシミュレーションで得られた結果と比較した。独立ミリ波能動インダクタの測定結果は,50GHzで400以上の品質因子をもつ133pHの等価インダクタンスを示し,CMOS技術におけるミリ波で動作する高Q能動インダクタの実現を実験的に実証した。スイッチオン,6dBの位相雑音低減するときの測定結果は,1MHz能動インダクタが切られるとキャリア周波数オフセットと 91dBc/Hzで 85dBc/Hzの位相雑音を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 位相 ,  伝達関数 ,  貯槽 ,  振動数 ,  EHF波 ,  インダクタンス ,  雑音低減 ,  *CMOS ,  *発振器 ,  位相雑音
準シソーラス用語： 周波数オフセット ,  CMOS技術 ,  品質因子 ,  動作原理 ,  交差結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 発振器 ,  活性インダクタ ,  ミリ波

分類 (2件)： リモートセンシング一般  (AD04000L) ,  気象学一般  (DC05010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： CMOS ,  発振器 ,  理論 ,  研究 ,  実験 ,  証明