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J-GLOBAL ID：201702286857574436   整理番号：17A1170252

溶液加工可能なドナー-アクセプタ化合物に基づく一方向結晶化した安定なn型有機薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Unidirectionally Crystallized Stable n-Type Organic Thin-Film Transistors Based on Solution-Processable Donor-Acceptor Compounds

著者 (9件)： Shibata Yosei (Flexible Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba, 305-8565, Japan) ,  Shibata Yosei (Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-05 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, 980-8579, Japan) ,  Tsutsumi Jun’ya (Flexible Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba, 305-8565, Japan) ,  Matsuoka Satoshi (Flexible Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba, 305-8565, Japan) ,  Minemawari Hiromi (Flexible Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba, 305-8565, Japan) ,  Arai Shunto (Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo, 113-8656, Japan) ,  Kumai Reiji (Condensed Matter Research Center (CMRC) and Photon Factory, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Institute of Materials Structure Science, Tsukuba, 305-0801, Japan) ,  Hasegawa Tatsuo (Flexible Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba, 305-8565, Japan) ,  Hasegawa Tatsuo (Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo, 113-8656, Japan)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700097  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液せん断法による薄膜形成をアクセプタとしてテトラシアノキノジメタン(n=0, 2, 4)のドナーと任意ふっ素化誘導体として2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェンから成る層状結晶性ドナー-アクセプタ電荷移動化合物を対象として検討した。結晶サイズは翼走査軸に沿って2mm以上である化合物の多結晶薄膜を作製することに成功し,最も大きい移動積分で結晶a軸は翼走査軸に平行で形成された膜は結晶粒の異方性アラインメントを実証した。大結晶粒の異方性配列である単結晶デバイスのそれに匹敵する0.61cm~2V~ 1s~ 1と高い移動度を有する空気中で安定なn型電界効果動作が生成した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査 ,  異方性 ,  *ドナー ,  電場効果 ,  アラインメント ,  電荷移動 ,  *アクセプタ ,  単結晶 ,  *結晶 ,  *結晶化 ,  結晶粒 ,  フッ素化 ,  移動度
準シソーラス用語： 薄膜形成 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 空気に安定な半導体 ,  電荷移動錯体 ,  有機薄膜トランジスタ ,  プリントエレクトロニクス ,  溶液せん断

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  結晶化 ,  有機薄膜トランジスタ