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J-GLOBAL ID：201702286897720381   整理番号：17A1492140

短波長赤外InGaAs焦平面アレイの雑音特性解析【Powered by NICT】

Noise characteristics analysis of short wave infrared InGaAs focal plane arrays

著者 (17件)： Yu Chunlei (State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Yu Chunlei (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Yu Chunlei (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Li Xue (State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Li Xue (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Yang Bo (State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Yang Bo (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Yang Bo (State Key Laboratories of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Shanghai 200050, China) ,  Huang Songlei (State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Huang Songlei (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Shao Xiumei (State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Shao Xiumei (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Zhang Yaguang (State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Zhang Yaguang (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Zhang Yaguang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Gong Haimei (State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Gong Haimei (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 85  ページ： 74-80  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低光レベルイメージングにおけるInGaAs短波赤外(SWIR)InGaAs線形焦点面アレイ(FPA)の増大する応用は,超低ノイズFPAを必要とする。本論文では,FPAノイズの理論的解析を紹介し,暗電流と検出器容量の両方がFPA雑音に強く影響することを指摘した。FPA騒音に及ぼす暗電流と検出器キャパシタンスの影響は異なる状況で比較した。低雑音性能FPAを得るために,検出器の静電容量を減らすことが要求されている画素ピッチが小さい場合に特に高く,積分時間が短いと,統合静電容量は大きかった。いくつかのInGaAs FPAを測定し,解析した,実験結果は計算結果に良く適合することができた。FPA雑音の主要な寄与因子は,より短い積分時間をもって騒音を結合していることを見出した。FPA騒音に及ぼす検出器容量の影響は暗電流よりもより顕著であった。FPA騒音に及ぼす検出器性能の効果を調べるために,吸収層の濃度が異なる二種類のフォトダイオードを作製した。検出器の性能と騒音特性を測定し,分析し,結果は理論解析と一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 検出器 ,  *雑音特性 ,  騒音 ,  線形性 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *雑音 ,  静電容量 ,  フォトダイオード ,  暗電流 ,  画像処理 ,  画素
準シソーラス用語： 積分時間 ,  低雑音 ,  焦点面アレイ ,  *平面アレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InGaAs ,  FPAs ,  雑音特性 ,  検出器の静電容量

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短波 ,  赤外 ,  InGaAs ,  アレイ ,  雑音特性 ,  解析