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J-GLOBAL ID：201702287115131325   整理番号：17A0879795

沈殿法で合成したZn²⁺ドープα-PbOナノ粒子の誘電挙動とAC伝導度に関する研究

Studies on the dielectric behavior and AC conductivity of Zn²⁺ doped α-PbO nanoparticles synthesized by precipitation method

著者 (2件)： MYTHILI N. (Mohamed Sathak Engineering Coll., Tamil Nadu, IND) ,  ARULMOZHI K. T. (Annamalai Univ., Tamil Nadu, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 12  ページ： 8921-8927  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光活性半導体のPbOはα相とβ相の二つの多形体を持ち,α相はバンドギャップが2.2EeVと小さいので多く利用されている。Znドープα-PbOナノ粒子を化学沈殿法で制作し,240°Cで仮焼した後誘電特性とAC伝導度を測定した。構造を調べると,格子パラメータ値の変化と回折ピークの強度シフトからPbOマトリクスへのZn置換が確認された。誘電率とtanδは周波数とドーピングが増えると減少した。Zn²⁺イオン置換による酸素空孔増加は高温での伝導度増加に寄与している。ZnドープPbOでインピーダンスが低いのはシステム中でのエネルギーロスが少ないからである。ドーパント(Zn)で作られたトラップと酸素空孔並びにナノサイズ効果はPbOナノ粒子の誘電応答を高めている。

シソーラス用語： 沈降分離 ,  亜鉛化合物 ,  金属イオン ,  *ドーピング ,  *酸化鉛 ,  ナノ粒子 ,  誘電性 ,  バンドギャップ ,  電気伝導率 ,  格子定数 ,  誘電率 ,  損失正接 ,  空格子点 ,  インピーダンス ,  応答 ,  インピーダンススペクトル ,  モデル
準シソーラス用語： Cole-Coleモデル ,  tanδ ,  *亜鉛イオン ,  格子パラメータ ,  酸素空孔 ,  沈殿法 ,  電気伝導度 ,  誘電応答

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 沈殿法 ,  ドープ ,  ナノ粒子 ,  挙動 ,  Ac ,  伝導度 ,  研究