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J-GLOBAL ID:201702287115808309   整理番号:17A1722866

集積素子のための非常に高い誘導Brillouin散乱利得をもつカルコゲン化物光導波路【Powered by NICT】

Chalcogenide optical waveguides with extremely high stimulated Brillouin scattering gain for integrated devices
著者 (8件):
資料名:
巻: 2017  号: CLEO/Europe-EQEC  ページ:発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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誘導Brillouin散乱(SB S)は入射ポンプ光子間の強い非線形相互作用と導波構造[1]における音響フォノンである。~10GHz周波数シフトであるStokes場とポンプ場からの光の散乱をもたらした。SBSは応用:超狭帯域幅レーザ,センシング,低速および高速光,マイクロ波信号処理,とnsスケール光信号貯蔵の数に非常に有用であった[2]。シリカ,カルコゲン化物,ケイ素, カルシウムフルオリド[2]などの様々な材料における繊維,埋込み導波路,懸濁導波路と共振器のような多くのSBSを役立てるために利用可能な形状。全プラットフォーム沖では,As2S3導波路デバイスは,統合された効率的なSBS[3]に最も適していることが示されている。シリコンはCMOS互換性を提供するが,多光子吸収と自由キャリア吸収,SBS性能[4]に影響を及ぼすという問題を抱えている。さらに,余分な処理は懸垂したナノワイヤ,より長い長さを困難にしているを作製するに必要である[5]。カルコゲン化物ガラスは1.5μmポンプで大きなKerrとSBS非線形性と非常に低い二光子吸収の両方を実証した。以前,As2S3における23dBのSBS利得を報告した〔3〕。さらに,カルコゲン化物導波路は,SBSとKerr非線形性[6]に基づく応用のオプトエレクトロニック集積を可能にするためのハイブリッドカルコゲン化物シリコンプラットフォームをもたらす可能性があるCMOS互換プラットフォーム上に作製した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学  ,  非線形光学 
タイトルに関連する用語 (5件):
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