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J-GLOBAL ID：201702287140610153   整理番号：17A0142342

擾乱に基づくInPウエハから移動多孔質層【Powered by NICT】

Transferring porous layer from InP wafer based on the disturbance

著者 (11件)： Zhang Yang (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Cao Liang (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Chai Xiangyu (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Liang Kaihua (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Han Yonglu (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Wang Yanqi (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Wang Zhaoyang (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Wang Shuting (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Weng Zhankun (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Wang Zuobin (JR3CN&CNM, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Wang Zuobin (JR3CN&Department of Computer Science and Technology, University of Bedfordshire Luton LU1 3JU, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： 3M-NANO  ページ： 109-112  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 障害に基づくInPウエハからの三次元(3D)多孔質層を移動し,3molL~( 1)NaCl溶液における電流ランプを用いたクロノポテンシオメトリーによるn-InP(100)の電気化学的エッチング中にする新しい方法を示した。ポテンシャルバースト現象は瞬時に起因して観察された。添加では,電位の振幅とInPウエハから分離された多孔質層の間の相関を議論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： クロノポテンシオメトリー ,  三次元 ,  電気化学 ,  電流 ,  エッチング ,  *リン化インジウム ,  電位 ,  *多孔性

分類 (1件)： 塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 擾乱 ,  InP ,  ウエハ ,  多孔質層