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J-GLOBAL ID:201702287159667504   整理番号:17A1127418

YAG中のPr~3+およびSm~3+の光学スペクトルにおける構造と電子-フォノン相互作用の効果【Powered by NICT】

Structural and electron-phonon interaction effects in optical spectra of Pr3+ and Sm3+ in YAG
著者 (5件):
資料名:
巻: 706  ページ: 176-185  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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YAG結晶と透明セラミックのあまり研究Pr~3+とSm~3+イオンの10Kと300K間の比較高分解能分光学的研究は,十二面体cサイトにおけるイオンに対応する主要な光学線周辺の衛星構造は,結晶場は隣接した格子不規則性による摂動を受けたイオンまたは振電サイドバンドに関係していることを証明した。Pr:YAGの場合には,このような不規則性は主に両タイプの材料における近くの場所(n.nとn.n.n.対)におけるドーピングイオンの存在に起因するが,融液成長結晶中の付加的な不規則性は,八面体Al~3+サイトの一部を占めることを過剰Y~3+イオンの存在である。摂動Pr~3+対中心に関する新しいデータは以前にYAGセラミックスのD_2対称性では禁制単離したPr~3+イオンの遷移に起因していることがいくつかの系統の識別における曖昧さを取り去ると対称性の低下の強制仮定を排除した。Sm~3+:YAGセラミックの1例において,主要な摂動を受けた中心はn.n対に対応し,Nd:YAGレーザのASE抑制因子としてのこの材料の利用における主要な役割を果たしている。電子-フォノン相互作用の存在は,線の偏移と広がりまたは分解弱い振電構造によって証明された。選択された光学遷移,YAGにおける10K Sm~3+~4G_5/2→~6H_5/2,7/2,9/2排出などでは,強い電子-フォノン効果の存在は電子線の形状,非対称性の出現または他の遷移へのStarkギャップはYAGのRamanフォノンと準共鳴における電子線の倍増などの強い変化によって証明された。T_2g対称性のYAGのRamanフォノンに近いエネルギーで零フォノン線。線の形状は,純粋な電子状態および振電サイドバンド間の準共鳴電子-フォノン結合の理論の観点から解析した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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