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J-GLOBAL ID:201702287214791274   整理番号:17A1650043

黒リンヘテロ構造におけるハイブリッドポラリトンのフェムト秒スイッチオン【Powered by NICT】

Femtosecond switch-on of hybrid polaritons in black phosphorus heterostructures
著者 (11件):
資料名:
巻: 2017  号: IRMMW-THz  ページ: 1-2  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンまたは六方晶窒化ホウ素のような二次元材料は調節可能なナノフォトニクス[1,2]のための汎用プラットフォームを提供した。中赤外光子による集団電子運動のハイブリダイゼーションはプラズモンベースのナノ回路構成への新しい道を開くものである。半金属グラフェンとは対照的に,半導体化合物はキャリアのバンド間励起による高コントラストのポラリトンの超高速制御に有望である。ここでは,中赤外スペクトル領域[3]における表面ポラリトンのフェムト秒制御のための調整可能なバンドギャップ半導体黒りん(BP)に基づく超高速プラズモンスイッチを実証した。筆者らのカスタム調整SiO_2/BP/SiO_2ヘテロ構造では,ハイブリッド表面フォノン-プラズモンモードは光活性化を特徴とする超高速スイッチング時間(~50 fs)とその寿命~5psの一定のエネルギーと運動量で生成した。ポラリトンの生成,時間モードのユニークな特性をマッピングすることができる散乱型近接場光学顕微鏡を用いた進化と崩壊,エネルギーと空間を追跡した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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炭素とその化合物  ,  無機化合物一般及び元素  ,  塩  ,  固体デバイス材料 
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