抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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マルチレベルインバータは,低電圧電気駆動装置の広い範囲の代替物である。パワー半導体損失,電動機巻線における過渡電圧,ケーブルの高調波損失と共通モード障害電流を減少させる。低電圧範囲(<1000 V)では,新しいワイドバンドギャップ半導体(SiC, GaN)は,マルチレベルインバータにおける伝導とスイッチング損失を低減する可能性を持っている。550V DCリンク電圧に対して1200V IGBTを用いた2準位VSIのパワー半導体損失と600V IGBTによる中性点クランプ三レベルVSIを比較した。20kHzスイッチング周波数と電力35kWで三レベルインバータの半導体損失は2準位インバータに比べて38%低かった。さらに誘導電動機の省エネルギーの可能性は,一般的に使用される一定フラックスの代わりに可変回転子磁束の使用である。最適回転子磁束はモータの実際の負荷と速度に依存する。低負荷では,事前計算されたルックアップテーブルを参照して減少しなければならない。最適回転子磁束曲線の計算は,非線形主インダクタンス,周波数依存回転子抵抗とロータ漏れインダクタンス,速度依存鉄,摩擦及び風損と運動周波数を含んでいる。11kW誘導電動機の効率の計算値と測定値の増加は,電動機における約35%と発電機運転モードで45%であった。平均効率改善は,電動機における4,5%と発電機モードで6,0%であった。効率の増加は定格トルクの2/3以下で達成できた。可変回転子磁束による省エネルギーは10から100Hzまでの全速度範囲で可能である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】