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J-GLOBAL ID：201702287304338923   整理番号：17A1503400

電気化学的方法を用いた酸化コバルトを吸着したグラフェンの室温強磁性と半導性【Powered by NICT】

Room temperature ferromagnetic and semiconducting properties of graphene adsorbed with cobalt oxide using electrochemical method

著者 (6件)： Park Chang-Soo (Department of Physics and Quantum-Function Research Laboratory, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Lee Kyung Su (Department of Physics and Quantum-Function Research Laboratory, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Chu Dongil (Department of Physics and Quantum-Function Research Laboratory, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Lee Juwon (Quantum Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea) ,  Shon Yoon (Quantum Functional Semiconductor Research Center, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea) ,  Kim Eun Kyu (Department of Physics and Quantum-Function Research Laboratory, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 444  ページ： 361-363  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学的方法を用いてのコバルト酸化物による吸着したグラフェンの室温強磁性を報告した。グラフェンへの酸化コバルトのドーピングによって,0.1M LiCoO_2/DI水溶液中で行った。ドープしたグラフェン薄膜はRaman解析から単層であることを決定した。CoOをドープしたグラフェンが室温で明瞭な強磁性ヒステリシスを持ち,残留磁化,128.2emu/cm~3を示した。吸着したグラフェンの伝導度の温度依存性は半導体挙動と0.12eVのバンドギャップを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *グラフェン ,  水溶液 ,  *強磁性 ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  *電気化学 ,  ヒステリシス ,  *半導性 ,  *酸化コバルト ,  残留磁化 ,  バンドギャップ ,  単一層
準シソーラス用語： 伝導率 ,  *室温強磁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン ,  強磁性半導体 ,  CoO ,  SQUID

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  酸化コバルト ,  吸着 ,  グラフェン ,  室温強磁性 ,  半導性