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J-GLOBAL ID：201702287362492693   整理番号：17A0406892

電子バンド構造,全範囲上の高度に不整合なGaNSb合金の光学および熱電係数に及ぼす組成に誘起された影響:DFT解析【Powered by NICT】

Composition-induced influence on the electronic band structure, optical and thermoelectric coefficients of the highly mismatched GaNSb alloy over the entire range: A DFT analysis

著者 (8件)： Ul Haq Bakhtiar (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Ul Haq Bakhtiar (Department of Physics, Faculty of Science, Universiti Teknologi Malaysia, UTM, Skudai, 81310 Johor, Malaysia) ,  Ul Haq Bakhtiar (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  Ahmed R. (Department of Physics, Faculty of Science, Universiti Teknologi Malaysia, UTM, Skudai, 81310 Johor, Malaysia) ,  Rhee Joo Yull (Department of Physics, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Shaari A. (Department of Physics, Faculty of Science, Universiti Teknologi Malaysia, UTM, Skudai, 81310 Johor, Malaysia) ,  AlFaify S. (Advanced Functional Materials & Optoelectronics Laboratory (AFMOL), Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  Ahmed M. (Centre for High Energy Physics, University of the Punjab, Quid-e-Azam Campus, Lahore 54590, Pakistan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 693  ページ： 1020-1027  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギーバンドギャップの広い制御を達成し,光電子特性を追跡できる高ミスマッチ合金(HMA)は,太陽エネルギー変換デバイスのための有望な材料であると考えられている。エネルギーバンドの劇的な再構築と明らかに不整合等原子価成分とアニオンの置換によるHMAにおける状態密度は,熱電効率を改善するのに重要な経過することができた。本論文では,電子バンド構造における組成誘起修飾と密度汎関数理論の枠内でGaN_1 xSb_x基づくHMAの光学スペクトルと熱電係数に及ぼす結果としての影響を調査し,検討することを試みた。SbによるNの置換,そのバンド構造にかなり影響し,伝導バンド最小(CBM)を分割サブバンドに観測した。Sb組成を増加させると,Ns電子から最低サブバンドはエネルギーギャップ狭まりをもたらす劇的な下方シフトを経験してきた。興味深いことに,RΓに沿った狭エネルギーギャップは間接バンドギャップクロスオーバへの驚くべき直接に導くΓ-Γ点のそれよりも高速であることが分かった。一方,組成誘起エネルギーギャップの狭まりは,紫外および赤外領域の両方における基礎吸収端の赤方偏移を刺激し,光起電力応用のためのGaNSb潜在的に有用な材料を形成している。加えて,GaNSbの熱電係数に実質的な影響もSb置換により観察した。低Sb置換でGaNSbの大きいSeebeck係数,改善された力率と性能指数(ZT)を得て,Sb組成の更なる増加に伴って減少効果を見出した。適度なドーピングレベルで強化されたSeebeck係数,力率とZT値を用いて,GaNSb合金は近い以上室温熱電応用のための有望な候補である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光起電力 ,  密度汎関数法 ,  伝導バンド ,  原子価 ,  *不整合 ,  バンドギャップ ,  力率 ,  *アンチモン ,  赤方偏移 ,  状態密度 ,  性能指数 ,  再構成
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  サブバンド ,  *電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DFT ,  電子構造 ,  吸収スペクトル ,  熱電特性 ,  オプトエレクトロニクス

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子バンド構造 ,  不整合 ,  光学 ,  係数 ,  組成 ,  誘起 ,  DFT ,  解析