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J-GLOBAL ID：201702287423395217   整理番号：17A1967758

InGaN/InGaN多重量子井戸における「セミバルク」InGaNバッファ層を用いた発光波長赤方偏移【Powered by NICT】

Emission wavelength red-shift by using “semi-bulk” InGaN buffer layer in InGaN/InGaN multiple-quantum-well

著者 (15件)： Alam Saiful (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, 30332, GA, USA) ,  Alam Saiful (Georgia Tech-CNRS, UMI 2958, 57070, Metz, France) ,  Alam Saiful (CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054, Grenoble, France) ,  Sundaram Suresh (Georgia Tech-CNRS, UMI 2958, 57070, Metz, France) ,  Li Xin (Georgia Tech-CNRS, UMI 2958, 57070, Metz, France) ,  El Gmili Youssef (Georgia Tech-CNRS, UMI 2958, 57070, Metz, France) ,  Elouneg-Jamroz Miryam (CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054, Grenoble, France) ,  Robin Ivan Christophe (CEA-LETI, Minatec Campus, F-38054, Grenoble, France) ,  Patriarche Gilles (Laboratory for Photonics and Nanostructures, CNRS, Route de Nozay, 91460, Marcoussis, France) ,  Salvestrini Jean-Paul (Georgia Tech-CNRS, UMI 2958, 57070, Metz, France) ,  Salvestrini Jean-Paul (LMOPS, University of Lorraine, EA4423, 57070, Metz, France) ,  Voss Paul L. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, 30332, GA, USA) ,  Voss Paul L. (Georgia Tech-CNRS, UMI 2958, 57070, Metz, France) ,  Ougazzaden Abdallah (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, 30332, GA, USA) ,  Ougazzaden Abdallah (Georgia Tech-CNRS, UMI 2958, 57070, Metz, France)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 112  ページ： 279-286  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_xGa_1xN/In_yGa_1 yN(x>y)多重量子井戸(MQW)の下~厚さ70nmの高品質セミバルク(SB)In_yGa_1 yNバッファ層を挿入することにより発光波長の伸長を報告した。InGaN SBバッファなしMQW構造はn-GaNテンプレート上の完全に歪んだが,バッファを持つMQW構造は~15%緩和を有していた。この小さな緩和と共にわずかな組成プリング誘起井戸厚増加MQWの発光波長の赤方偏移の理由であると信じられている。さらに,SB InGaNバッファは電子リザーバとして作用し,また,量子閉込めStark効果(QCSE)を減少させ,このようにして発光強度を増加させるのに役立つ。このようにして,完全に緩和させたバッファ誘起材料劣化を回避することにより,より長い発光波長はInGaN SB緩衝液を用いただけで達成できる参照構造として同じ全ての他の成長条件を維持した。良好なInGaN材料品質を維持するために「セミバルク」法により実現される,かなり厚い完全に歪んだまたはほとんど緩和したInGaNバッファは過剰インジウム(In)を使用せずに,緑色領域への,このバッファ上に成長させた,シアンに青色で発光するLEDを実現するための有益である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 品質 ,  *発光 ,  *窒化ガリウム ,  緩和現象 ,  シアン ,  *赤方偏移 ,  *バッファ層 ,  MOCVD ,  *多重量子井戸 ,  *波長
準シソーラス用語： 成長条件 ,  発光強度 ,  量子閉込めStark効果 ,  高品質 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InGaN多重量子井戸 ,  InGaNバッファ ,  LED ,  MOVPE ,  グリーンgap

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  多重量子井戸 ,  セミ ,  バルク ,  バッファ層 ,  波長 ,  赤方偏移