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J-GLOBAL ID：201702287471494323   整理番号：17A1058042

ニュートン力に基づく擬強誘電AlドープZnO/Siスイッチ可能ダイオード【Powered by NICT】

Nano-Newton force based pseudoferroelectric Al-doped ZnO/Si switchable diode

著者 (4件)： Kumar Mohit (SUNAG Laboratory, Institute of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751 005, India) ,  Kumar Mohit (Homi Bhaba National Institute, Training School Complex, Anushakti Nagar, Mumbai 400 085, India) ,  Som Tapobrata (SUNAG Laboratory, Institute of Physics, Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751 005, India) ,  Som Tapobrata (Homi Bhaba National Institute, Training School Complex, Anushakti Nagar, Mumbai 400 085, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 418  号： PA  ページ： 369-373  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電性原子間力顕微鏡を用いたAlドープZnO(AZO)薄膜における分極仲介調整可能なナノスケール電荷輸送を実証した。実際では,AZO膜を横切る電荷輸送は,外部ナノNewton力,膜中の分極の存在を確認し適用することにより調整できることを示した。添加では,Kelvinプローブ力顕微鏡を用いた不均一仕事関数に及ぼす分極の役割を実証した。観察された実験結果は,AZO膜中の欠陥に誘起された分極に起因すると機械的力可変同調形ダイオードを作製するための一歩前進である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  仕事関数 ,  *スイッチ ,  分極 ,  *ダイオード
準シソーラス用語： 可変同調 ,  電荷輸送 ,  ナノスケール ,  導電性原子間力顕微鏡 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  導電性原子間力顕微鏡法 ,  透明導電性酸化物

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ニュートン ,  AlドープZnO ,  Si ,  ダイオード