文献

J-GLOBAL ID：201702287618338624   整理番号：17A1430108

量子ドットのCoulombブロッケード顕微鏡法のシミュレーション【Powered by NICT】

Simulation of the Coulomb blockade microscopy of quantum dots

著者 (2件)： Wach E. (AGH University of Science and Technology, Faculty of Physics and Applied Computer Science, al. Mickiewicza 30, 30-059 Krakow, Poland) ,  Szafran B. (AGH University of Science and Technology, Faculty of Physics and Applied Computer Science, al. Mickiewicza 30, 30-059 Krakow, Poland)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 93  ページ： 70-77  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元電子ガスの貯留層と弱く結合した単一および二重量子ドット(QD)上のCoulombブロッケード顕微鏡の数値シミュレーションを行った。モデルは量子ドット中の電子ガスの変形と結合したサブシステムのためのDFT方程式の自己無撞着反復による貯水池における原子間力顕微鏡のチップでのCoulomb電荷のスクリーニングについて述べた。チップへの電子の反応と有効チップポテンシャルの形状,それは一般的に短い範囲,先端位置に強く依存し,QDの側に長い尾部を有する非対称となっているを論じた。荷電プローブの影響下で基底状態を決定し,先端位置の関数としてQDの電荷安定性マップを得た。充電系統を評価し,の電荷密度はチップにより影響を受けないと仮定した摂動条件に対して得られた結果と比較した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *顕微鏡観察 ,  充電 ,  二次元電子ガス ,  非対称性 ,  *量子ドット ,  原子間力顕微鏡 ,  プローブ ,  電子ガス ,  *Coulombブロッケード ,  電荷 ,  基底状態
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  *クーロン ,  数値シミュレーション ,  二重量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子ドット ,  Coulombブロッケード ,  顕微鏡法 ,  シミュレーション